Синтетические алмазы HPHT

Технология HPHT
Технология HPHT включает в себя получение алмазов при температуре свыше 1400 градусов и давлении около 5 ГПа, используя метод температурного градиента. Установка, которая представляет собой многопуансонный гидравлический пресс, сжимает специальный контейнер – ростовую ячейку, внутри которого находится катализатор и графит. Процесс выращивания крупного кристалла или нескольких мелких длится около недели.
Выращенные в лаборатории алмазы имеют те же физические, химические и оптические характеристики, что и природные алмазы.
Свойства полученных монокристаллов алмаза абсолютно не отличаются от природных алмазов. Преимущество в том, что синтезом можно управлять, то есть он дает постоянство характеристик на выходе, и предсказуемые свойства, зависящие от растворителя и режимов синтеза.
Таблица сравнения природных и выращенных алмазов. Из нее видно, что они идентичны.

природные алмазы выращенные алмазы
химические свойства Углерод (С) Углерод (С)
показатели преломления 2,42 2,42
Дисперсия 0,044 0,044
Твердость 10 10
Плотность 3,52 3,52

Свойства полученных синтетических алмазов:
• размер до 8 мм;
• концентрация азота 0,5 – 2,0 ppm;
• теплопроводность до 2200 Вт/(м·К);
• диапазон оптической прозрачности от 225 нм до 25 мкм;
• высокое совершенство кристаллической структуры;
• низкий уровень люминесценции
(отношение интенсивности спектра КРС второго порядка к люминесцентному фону ~ 15 – 30);
• удельное электрическое сопротивление выше 1012 Ом·см;
• Твердость не менее 105 ГПа.
Свойства полученных синтетических алмазов:
• размер до 8 мм;
• концентрация азота 0,5 – 2,0 ppm;
• теплопроводность до 2200 Вт/(м·К);
• диапазон оптической прозрачности от 225 нм до 25 мкм;
• высокое совершенство кристаллической структуры;
• низкий уровень люминесценции
(отношение интенсивности спектра КРС второго порядка к люминесцентному фону ~ 15 – 30);
• удельное электрическое сопротивление выше 1012 Ом·см;
• Твердость не менее 105 ГПа.

В таблице показаны электрофизические свойства наиболее широко распространенных полупроводниковых материалов и алмаза.

Si GaN 4H-SiC Алмаз
ширина запрещенной зоны e (эв) 1,12 3,44 3,23 5,45
диэлектрическая постоянная ε 11,9 9 9,8 5,7
подвижность электров μ см /(в·с) 1350 1150 900 2500
подвижность дырок μ см /в·с) 480 200 120 1200
теплопроводность λ вт/см·к) 1,5 2 5 24
jfm (нормировано по si) 1 27,5 20 900
тепловой коэфицент расширения (нормировано по si) 1 2,2 1,6 0,03

Сотрудничество

Мы всегда заинтересованы в расширении нашей партнерской сети, и, если Вы заинтересованы в индивидуальных проектах, основанных на наших передовых технологиях выращивания безазотных монокристаллов алмаза по самым высоким стандартам качества, превосходящих по размерам и характеристикам природные алмазы, Вы всегда можете обратиться к нам о возможности партнерства и сотрудничества.
НАУКА

как мы создаем наши бриллианты?

Процесс создания природного и синтетического алмаза чрезвычайно похож – только один происходит естественным образом, а другой происходит в лаборатории. Мы делаем науку простой и хотим поделиться с Вами нашей инновационной и усовершенствованной технологией производства синтетических алмазов HPHT.
ПЕРЕДОВЫЕ РАЗРАБОТКИ

Наши бриллианты

Введите данные:

Forgot your details?