Синтетические алмазы HPHT

Технология HPHT
Технология HPHT включает в себя получение алмазов при температуре свыше 1400 градусов и давлении около 5 ГПа, используя метод температурного градиента. Установка, которая представляет собой многопуансонный гидравлический пресс, сжимает специальный контейнер – ростовую ячейку, внутри которого находится катализатор и графит. Процесс выращивания крупного кристалла или нескольких мелких длится около недели.
Выращенные в лаборатории алмазы имеют те же физические, химические и оптические характеристики, что и природные алмазы.
Свойства полученных монокристаллов алмаза абсолютно не отличаются от природных алмазов. Преимущество в том, что синтезом можно управлять, то есть он дает постоянство характеристик на выходе, и предсказуемые свойства, зависящие от растворителя и режимов синтеза.
Таблица сравнения природных и выращенных алмазов. Из нее видно, что они идентичны.

природные алмазывыращенные алмазы
химические свойстваУглерод (С)Углерод (С)
показатели преломления2,422,42
Дисперсия0,0440,044
Твердость1010
Плотность3,523,52

Свойства полученных синтетических алмазов:
• размер до 8 мм;
• концентрация азота 0,5 – 2,0 ppm;
• теплопроводность до 2200 Вт/(м·К);
• диапазон оптической прозрачности от 225 нм до 25 мкм;
• высокое совершенство кристаллической структуры;
• низкий уровень люминесценции
(отношение интенсивности спектра КРС второго порядка к люминесцентному фону ~ 15 – 30);
• удельное электрическое сопротивление выше 1012 Ом·см;
• Твердость не менее 105 ГПа.
Свойства полученных синтетических алмазов:
• размер до 8 мм;
• концентрация азота 0,5 – 2,0 ppm;
• теплопроводность до 2200 Вт/(м·К);
• диапазон оптической прозрачности от 225 нм до 25 мкм;
• высокое совершенство кристаллической структуры;
• низкий уровень люминесценции
(отношение интенсивности спектра КРС второго порядка к люминесцентному фону ~ 15 – 30);
• удельное электрическое сопротивление выше 1012 Ом·см;
• Твердость не менее 105 ГПа.

В таблице показаны электрофизические свойства наиболее широко распространенных полупроводниковых материалов и алмаза.

SiGaN4H-SiCАлмаз
ширина запрещенной зоны e (эв)1,123,443,235,45
диэлектрическая постоянная ε11,999,85,7
подвижность электров μ см /(в·с)135011509002500
подвижность дырок μ см /в·с)4802001201200
теплопроводность λ вт/см·к)1,52524
jfm (нормировано по si)127,520900
тепловой коэфицент расширения (нормировано по si)12,21,60,03

Сотрудничество

Мы всегда заинтересованы в расширении нашей партнерской сети, и, если Вы заинтересованы в индивидуальных проектах, основанных на наших передовых технологиях выращивания безазотных монокристаллов алмаза по самым высоким стандартам качества, превосходящих по размерам и характеристикам природные алмазы, Вы всегда можете обратиться к нам о возможности партнерства и сотрудничества.
НАУКА

как мы создаем наши бриллианты?

Процесс создания природного и синтетического алмаза чрезвычайно похож – только один происходит естественным образом, а другой происходит в лаборатории. Мы делаем науку простой и хотим поделиться с Вами нашей инновационной и усовершенствованной технологией производства синтетических алмазов HPHT.
ПЕРЕДОВЫЕ РАЗРАБОТКИ

Наши бриллианты

Введите данные:

Forgot your details?