СВЧ Технологии
Технологическая платформа «Электроника и машиностроение». Раздел «СВЧ-Технологии»
В области электронного материаловедения:
1.3 Создание алмазных приборных структур.
В области электронных СВЧ компонентов:
2.2 Разработка и создание твердотельной элементной базы генерации и детектирования излучения террагерцового диапазона. 2.4 Разработка технологии создания СВЧ транзисторов и МИС на основе широкозонных полупроводниковых материалов (GaN, SiC, InP, алмаз, графен), в том числе КВЧ (60-200 ГГц) диапазона.
Согласно Технологической Платформе – перспективы развития СВЧ-приборов, которые можно решить с помощью алмазных пластин:
– повышение стабильности параметров в процессе эксплуатации при воздействии внешних факторов;
– снижение габаритных размеров;
– расширение диапазона рабочих частот.
1.3 Создание алмазных приборных структур.
В области электронных СВЧ компонентов:
2.2 Разработка и создание твердотельной элементной базы генерации и детектирования излучения террагерцового диапазона. 2.4 Разработка технологии создания СВЧ транзисторов и МИС на основе широкозонных полупроводниковых материалов (GaN, SiC, InP, алмаз, графен), в том числе КВЧ (60-200 ГГц) диапазона.
Согласно Технологической Платформе – перспективы развития СВЧ-приборов, которые можно решить с помощью алмазных пластин:
– повышение стабильности параметров в процессе эксплуатации при воздействии внешних факторов;
– снижение габаритных размеров;
– расширение диапазона рабочих частот.
Организации участники
ОАО «НПП «Исток» им. Шокина», ФГУП «НПП «Пульсар», ФГУП «НПП «Алмаз», ФГУП «НПП «Салют», ФГУП «НПП «Торий», ОАО «Светлана», ФГУП «НИИМА-Прогресс», ведущих предприятий петербургского Кластера ЗАО «Завод им. Козицкого», ФГУП «НИИТ», ОАО «МАРТ» и ведущих профильных ВУЗов – МИРЭА, МИФИ, МИЭТ, МГУ им. М.В.Ломоносова, МГТУ им. Н.Баумана, СПбГЭТУ ЛЭТИ им. В.И.Ульянова (Ленина), ННГУ им. Н.И. Лобачевского, СГУ им.Н.Г.Чернышевского, ТУСУР и др. при участии профильных организаций Российской академии наук – ИСВЧПЭ РАН, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН и его филиалов Фрязинского и Саратовского, ИФП СО РАН, ИФМ РАН
Потребители
ОАО «Концерн ПВО «Алмаз-Антей» (ОАО ГСКБ «Алмаз-Антей» (Москва), ОАО «НИИ приборостроения им. В.В.Тихомирова» (Жуковский Московской обл.), ФГУП «ГРПЗ» (Рязань), ОАО «НИИ «Стрела» (Тула), ОАО МНИИ «Альтаир», ОАО «ВНИИРТ» (Москва), ОАО «ННИИРТ» (Нижний Новгород), а также ОАО «КБП» (Тула), ОАО «КБМ» (Коломна Московской обл.), ОАО «ЦКБА» (Омск), ФГУП «КНИРТИ» (Жуков Калужской обл.), ОАО «Корпорация «Тактической ракетной вооружение», ОАО ГосМКБ «Вымпел», ОАО ГосМКБ «Факел», ОАО «Российские космические системы», ФГУП «ЦНИИ «Комета»
Предложение
Элементная база: Пластины монокристаллического алмаза являются более подходящим сырьем для «системы на кристалле».
Теплоотводящая подложка взамен монокристаллам кремния и арсенида галлия. Легированная пластина (бор или фосфор) используются как полупроводник, стойкий к радиации и большой температуре.
Алмазы – материалы для интегральных схем с улучшенными параметрами. Использование СВЧ полупроводниковых приборов на основе алмазных структур, обладающих уникальными теплопроводными свойствами и радиационной стойкостью.
Преимущества алмаза перед GaAs: больше ширина запрещенной зоны 5,45 эВ против 1,42 эВ; больше напряжение пробоя 10 против 0,4 МВ/см; теплопроводность 2000 против 46 Вт/м*К (если очистить алмаз от изотопов 13С, то теплопроводность можно повышать до 3000 Вт/м*К), в легированном алмазе так же хорошее соотношение подвижности электронов и дырок. Кроме того, алмаз сильно химически устойчив.
Теплоотводящая подложка взамен монокристаллам кремния и арсенида галлия. Легированная пластина (бор или фосфор) используются как полупроводник, стойкий к радиации и большой температуре.
Алмазы – материалы для интегральных схем с улучшенными параметрами. Использование СВЧ полупроводниковых приборов на основе алмазных структур, обладающих уникальными теплопроводными свойствами и радиационной стойкостью.
Преимущества алмаза перед GaAs: больше ширина запрещенной зоны 5,45 эВ против 1,42 эВ; больше напряжение пробоя 10 против 0,4 МВ/см; теплопроводность 2000 против 46 Вт/м*К (если очистить алмаз от изотопов 13С, то теплопроводность можно повышать до 3000 Вт/м*К), в легированном алмазе так же хорошее соотношение подвижности электронов и дырок. Кроме того, алмаз сильно химически устойчив.
Сотрудничество
Мы всегда заинтересованы в расширении нашей партнерской сети, и, если Вы заинтересованы в индивидуальных проектах, основанных на наших передовых технологиях выращивания безазотных монокристаллов алмаза по самым высоким стандартам качества, превосходящих по размерам и характеристикам природные алмазы, Вы всегда можете обратиться к нам о возможности партнерства и сотрудничества.
НАУКА
как мы создаем наши бриллианты?
Процесс создания природного и синтетического алмаза чрезвычайно похож – только один происходит естественным образом, а другой происходит в лаборатории. Мы делаем науку простой и хотим поделиться с Вами нашей инновационной и усовершенствованной технологией производства синтетических алмазов HPHT.
© 2019 Syntechno™ Все права защищены.