Радиационные детекторы
Монокристаллические алмазы Синтех Технолоджи имеют большую чувствительность поверхности и рабочую площадь, достигающую 90% от общей площади, благодаря низкому уровня дислокаций, что делает синтетический алмаз бескомпромисным материалом для регистрации частиц в радиационной среде. Алмазные датчики способны регистрировать значительно больше сигналов, являются лучшим электро-изолятором и износостойким материалом.
Твердотельные детекторы на основе полупроводников на алмазах могут применяться и действительно широко применяются – они могут засекать УФ, рентгеновское, гамма-излучение, электроны, альфа-частицы, ионы, нейтроны, и другие частицы в диапазоне от 5,5 эВ до ГэВ.
Это возможно благодаря большой запрещенной зоне и высокому удельному сопротивлению алмаза – алмазные детекторы работают при температурах до 250 0С, обладают высокой радиационной стойкостью, высокой теплопроводностью. Благодаря своей атомной плотности алмаз обеспечивает наилучшую эффективность регистрации нейтронов деления.
Сейчас алмазные детекторы широко используются в радиотерапии, в качестве монитора пучка в лазерной технике, в синхротронах, в термоядерных реакторах, для регистрации излучений высокотемпературной плазмы.
Это возможно благодаря большой запрещенной зоне и высокому удельному сопротивлению алмаза – алмазные детекторы работают при температурах до 250 0С, обладают высокой радиационной стойкостью, высокой теплопроводностью. Благодаря своей атомной плотности алмаз обеспечивает наилучшую эффективность регистрации нейтронов деления.
Сейчас алмазные детекторы широко используются в радиотерапии, в качестве монитора пучка в лазерной технике, в синхротронах, в термоядерных реакторах, для регистрации излучений высокотемпературной плазмы.
Алмазные детекторы могут работать в токовом режиме, при нулевом электрическом смещении и в режиме термолюминисценции.
Детекторы тепловых нейтронов в виде сэндвичей с конвертерами тепловых нейтронов а) на основе слоя LiF, в) слоя B2O3, б) спектр детектора с конвертером LiF, г) спектр детектора с конвертером B2O5. На спектрах область энергии нейтронов ниже 5 МэВ отражает регистрацию продуктов реакций в конвертере, выше 5 МэВ – реакции быстрых нейтронов ядрами С в теле детектора
Соотношение фотоотклика детектора на основе CVD-алмаза со встречно-штыревыми электродами в УФ- и видимой областях спектра (коэффициент спектральной дискриминации) может составлять 105, фоточувствительность – ~1 А/Вт и быстродействие – порядка 1 нс.
Структура MESFET, выполненного на гидрогенизированной поверхности эпитаксиальной алмазной пленки “Длина собирания заряда” – ключевой параметр детекторов – в поли- и монокристаллическом алмазе достигает 275 и 420 мкм, соответственно, а произведение подвижности на время жизни носителей заряда μτ – 10-6 см2/В и 10-4 см2/В, соответственно.
Сотрудничество
Мы всегда заинтересованы в расширении нашей партнерской сети, и, если Вы заинтересованы в индивидуальных проектах, основанных на наших передовых технологиях выращивания безазотных монокристаллов алмаза по самым высоким стандартам качества, превосходящих по размерам и характеристикам природные алмазы, Вы всегда можете обратиться к нам о возможности партнерства и сотрудничества.
НАУКА
как мы создаем наши бриллианты?
Процесс создания природного и синтетического алмаза чрезвычайно похож – только один происходит естественным образом, а другой происходит в лаборатории. Мы делаем науку простой и хотим поделиться с Вами нашей инновационной и усовершенствованной технологией производства синтетических алмазов HPHT.
© 2019 Syntechno™ Все права защищены.